v2.3.2 (2865)

Cours - 8P-178-PHO : Sources à Semiconducteurs - Electif4

Domaine > Photonique.

Descriptif

Le cours détaille les propriétés spécifiques des sources à semiconducteur (diodes électroluminescentes, diodes laser à émission par la tranche et par la surface), en relation avec leurs applications. Les principes physiques sont décrits, les caractéristiques des sources en relation avec l'état de l'art sont commentées, et les principales problématiques sont mises en évidence. Les étudiants sont ainsi en mesure d'effectuer une analyse approfondie d'articles scientifiques du domaine.

nombre d'heure en présentiel

18

Volume horaire par type d'activité pédagogique : types d'activité

  • Cours magistral : 12
  • Travaux dirigés : 6

effectif maximal

35

Diplôme(s) concerné(s)

UE de rattachement

Pour les étudiants du diplôme Master 1 Voie André Ampère - IOGS

Physique des lasers, Physique du semiconducteur, Optique des ondes guidées

Pour les étudiants du diplôme Diplôme d'ingénieur de l'Institut d'Optique Théorique et Appliquée

Physique des lasers, Physique du semiconducteur, Optique des ondes guidées

Format des notes

Numérique sur 20

Pour les étudiants du diplôme Diplôme d'ingénieur de l'Institut d'Optique Théorique et Appliquée

Vos modalités d'acquisition :

analyse d'un article de revue sur la thématique - en binôme

examen écrit - 1 h (feuille A4 R/V, calculatrice)

Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée écrêtée à une note seuil)

    Le coefficient de l'UE est : 33.33

    Pour les étudiants du diplôme Master 1 Voie André Ampère - IOGS

    Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée écrêtée à une note seuil)

      Le coefficient de l'UE est : 33.33

      Programme détaillé

      Introduction
      Marchés, Applications (LED, DL), Historique

      Interactions photons/électrons-trous dans un semiconducteur
      I. Rappels
      II. Description d’un semiconducteur hors équilibre
      III.Taux d’absorption et d’émission de lumière dans un semiconducteur à gap direct

      Diodes électroluminescentes
      I. Description du composant
      II. Caractéristique P(I)
      III. Spectre d'émission
      IV. Technologies des LED pour l'éclairage

      Description d’une diode laser
      I. La cavité laser
      II. Couche active structurée
      III. Exemples : conception d'une diode laser à puits quantiques
      IV. Injection de porteurs & confinement transverse
      V. Technologies de fabrication

      Propriétés de l'émission des diodes laser
      I. Gain optique dans une jonction PN polarisée
      II. Caractéristique Popt = f(I)
      III. Propriétés du mode transverse
      IV. Exemples et Technologies
      V. Propriétés spectrales de l'émission
      VI. Caractéristiques de modulation

      Mots clés

      Sources laser, diodes électroluminescentes, diodes laser, LED
      Veuillez patienter