Descriptif
Le cours détaille les propriétés spécifiques des sources à semiconducteur (diodes électroluminescentes, diodes laser à émission par la tranche et par la surface), en relation avec leurs applications. Les principes physiques sont décrits, les caractéristiques des sources en relation avec l'état de l'art sont commentées, et les principales problématiques sont mises en évidence.
Objectifs pédagogiques
comprendre l'origine des propriétés spécifiques des sources à base de matériaux semiconducteur, et les enjeux actuels; être en mesure d'effectuer une lecture critique d'articles scientifiques du domaine.
- Cours magistral : 12
- Travaux dirigés : 6
effectifs minimal / maximal:
/35Diplôme(s) concerné(s)
- Diplôme d'ingénieur de l'Institut d'Optique Théorique et Appliquée - Master of Science in Engineering
- Master 1 Irène Joliot Curie
- Master 1 Voie André Ampère - IOGS
UE de rattachement
- 8P-170-SCI : Enseignements scientifiques électifs
Pour les étudiants du diplôme Diplôme d'ingénieur de l'Institut d'Optique Théorique et Appliquée - Master of Science in Engineering
Physique des lasers, Physique du semiconducteur, Optique des ondes guidées
Pour les étudiants du diplôme Master 1 Voie André Ampère - IOGS
Physique des lasers, Physique du semiconducteur, Optique des ondes guidées
Format des notes
Numérique sur 20Pour les étudiants du diplôme Diplôme d'ingénieur de l'Institut d'Optique Théorique et Appliquée - Master of Science in Engineering
Vos modalités d'acquisition :
analyse d'un article de revue sur la thématique - en binôme
examen écrit - 1 h (feuille A4 R/V, calculatrice)
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée écrêtée à une note seuil de 12)- le rattrapage est obligatoire si :
- Note initiale < 5
Le coefficient de l'UE est : 33.3
Pour les étudiants du diplôme Master 1 Voie André Ampère - IOGS
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée écrêtée à une note seuil de 12)- le rattrapage est obligatoire si :
- Note initiale < 7
Le coefficient de l'UE est : 33.3
Pour les étudiants du diplôme Master 1 Irène Joliot Curie
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée écrêtée à une note seuil de 12)- le rattrapage est obligatoire si :
- Note initiale < 7
Le coefficient de l'UE est : 33.3
Programme détaillé
Introduction
Marchés, Applications (LED, DL), Historique
Interactions photons/électrons-trous dans un semiconducteur
I. Rappels
II. Description d’un semiconducteur hors équilibre
III.Taux d’absorption et d’émission de lumière dans un semiconducteur à gap direct
Diodes électroluminescentes
I. Description du composant
II. Caractéristique P(I)
III. Spectre d'émission
IV. Technologies des LED pour l'éclairage
Description d’une diode laser
I. La cavité laser
II. Couche active structurée
III. Exemples : conception d'une diode laser à puits quantiques
IV. Injection de porteurs & confinement transverse
V. Technologies de fabrication
Propriétés de l'émission des diodes laser
I. Gain optique dans une jonction PN polarisée
II. Caractéristique Popt = f(I)
III. Propriétés du mode transverse
IV. Exemples et Technologies
V. Propriétés spectrales de l'émission
VI. Caractéristiques de modulation
