v2.10.0 (5004)

Cours - 8P-178-PHO : Sources à Semiconducteurs - Electif3

Domaine > Photonique.

Descriptif

Le cours détaille les propriétés spécifiques des sources à semiconducteur (diodes électroluminescentes, diodes laser à émission par la tranche et par la surface), en relation avec leurs applications. Les principes physiques sont décrits, les caractéristiques des sources en relation avec l'état de l'art sont commentées, et les principales problématiques sont mises en évidence.

 

Objectifs pédagogiques

comprendre l'origine des propriétés spécifiques des sources à base de matériaux semiconducteur, et les enjeux actuels; être en mesure d'effectuer une lecture critique d'articles scientifiques du domaine.

18 heures en présentiel
réparties en:
  • Cours magistral : 12
  • Travaux dirigés : 6

effectifs minimal / maximal:

/35

Diplôme(s) concerné(s)

UE de rattachement

Pour les étudiants du diplôme Diplôme d'ingénieur de l'Institut d'Optique Théorique et Appliquée - Master of Science in Engineering

Physique des lasers, Physique du semiconducteur, Optique des ondes guidées

Pour les étudiants du diplôme Master 1 Voie André Ampère - IOGS

Physique des lasers, Physique du semiconducteur, Optique des ondes guidées

Format des notes

Numérique sur 20

Pour les étudiants du diplôme Diplôme d'ingénieur de l'Institut d'Optique Théorique et Appliquée - Master of Science in Engineering

Vos modalités d'acquisition :

analyse d'un article de revue sur la thématique - en binôme

examen écrit - 1 h (feuille A4 R/V, calculatrice)

Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée écrêtée à une note seuil de 12)
  • le rattrapage est obligatoire si :
    Note initiale < 5

Le coefficient de l'UE est : 33.3

Pour les étudiants du diplôme Master 1 Voie André Ampère - IOGS

Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée écrêtée à une note seuil de 12)
  • le rattrapage est obligatoire si :
    Note initiale < 7

Le coefficient de l'UE est : 33.3

Pour les étudiants du diplôme Master 1 Irène Joliot Curie

Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée écrêtée à une note seuil de 12)
  • le rattrapage est obligatoire si :
    Note initiale < 7

Le coefficient de l'UE est : 33.3

Programme détaillé

Introduction
Marchés, Applications (LED, DL), Historique

Interactions photons/électrons-trous dans un semiconducteur
I. Rappels
II. Description d’un semiconducteur hors équilibre
III.Taux d’absorption et d’émission de lumière dans un semiconducteur à gap direct

Diodes électroluminescentes
I. Description du composant
II. Caractéristique P(I)
III. Spectre d'émission
IV. Technologies des LED pour l'éclairage

Description d’une diode laser
I. La cavité laser
II. Couche active structurée
III. Exemples : conception d'une diode laser à puits quantiques
IV. Injection de porteurs & confinement transverse
V. Technologies de fabrication

Propriétés de l'émission des diodes laser
I. Gain optique dans une jonction PN polarisée
II. Caractéristique Popt = f(I)
III. Propriétés du mode transverse
IV. Exemples et Technologies
V. Propriétés spectrales de l'émission
VI. Caractéristiques de modulation

Mots clés

Sources laser, diodes électroluminescentes, diodes laser, LED

Méthodes pédagogiques

cours, TD d'applications
Veuillez patienter